东谱科技迁移特性-飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF

产品关键词：载流子迁移率、电子迁移率、空穴迁移率、渡越时间、飞行时间、TOF、载流子寿命、迁移率寿命积、瞬态光电流、水平载流子、横向TOF、横向载流子、二维载流子成像mapping

FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪是东谱科技HiTran瞬态综合光电特性测量平台中的重要成员。该系统利用飞行时间法（time-of-flight，TOF）测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性，广泛适用于各类半导体材料，如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架（MOF）、共价有机框架（COF）等。FlyTOF基于我司的MagicBox主机研制而成，配备便捷的上位机控制和数据测量软件，可助力客户进行快速、准确的测量。FlyTOF是东谱科技源头研发产品，是业内新款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测试商业化设备。

迁移特性是半导体基础的性质之一，是半导体在电子学和光电子学等领域进行应用的基础。半导体的迁移率定义为单位电场下载流子的平均漂移速度。TOF迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。 相比于一些间接的迁移率测试方法，如空间电荷限制电流（SCLC）法等，TOF的方法被认为是接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析，可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数；用户还可以利用这些数据，结合材料的物理模型进行分析，得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。

作为TOF迁移率测试方法商业化应用的先行，东谱科技已携手客户广泛探索了FlyTOF在有机半导体、硅基半导体、钙钛矿半导体、二维材料、共价有机框架等领域的应用。东谱期待与您共同开拓FlyTOF更多的应用领域。

FlyTOF性能优异，具有载流子迁移率测量值覆盖10^-9~10^6 cm^2/(V.s)；专业的信号调教，电磁兼容噪声小； 行业优秀的TOF测试功能；软件自动控制，测试快速便捷；快速换样装置，惰性气体氛围测试；可实现宽温度范围的变温测试（选配）；可通过可视化系统看到光斑照射情况；可灵活耦合各种类型的激发光源等特点。

可进行飞行时间法瞬态光电流测量、半导体材料电子迁移率测量、半导体材料空穴迁移率测量、载流子浓度测量、载流子寿命测量、可选变温测量、可选Lateral-TOF测试功能及附件、可选配TOF二维扫描（mapping）功能及附件；渡越时间。

TranPVC广泛应用于有机半导体、量子点半导体、元素半导体（Si、Ge等）、金属-有机框架（MOF）、二维材料、宽带隙第三代半导体、钙钛矿材料、化合物半导体（InGaAs等）、共价有机框（COF）、共价有机框（COF）以及其它半导体材料。