TXRF 310Fab 系列

全内反射 X 射线荧光光谱仪

分析痕量从轻元素 Na 到重元素 U 的污染物元素

采用转子式高功率 X 射线发生器和新设计的入射 X 射线单色器。

过渡金属 LLD 10 采用直接 TXRF 测量方法8 原子/厘米2达到水平。 在封闭 X 射线管测量时间的 1/3 内即可实现相同的精度，从而实现高通量。

描述 TXRF 310Fab

1 个靶标、3 个光束系统

这是一种方法，它使用三种类型的光谱晶体来提取被测元素的最佳单色 X 射线束，并将其用于污染元素激发。 用于轻元素测量的 W-Mα 射线不会激发 Si，因此可以分析 Na、Mg 和 Al。 从 Na~U 连续进行高精度自动分析。

通过去除衍射线将散线的影响降至很低

它使用抑制高阶反射的光学系统和 X-Y-theta 驱动平台，自动 X 射线入射方向选择功能消除了基板上的衍射线，并以最小的散射射线干扰实现高 S/N 测量。 可以对整个晶圆表面进行准确和高精度的痕量分析。

可以与异物检查坐标数据进行坐标联动。

异物检查装置的坐标数据可以导入 TXRF 系统，并且可以对颗粒存在点进行污染元素分析。 滴灌跟踪搜索功能使用的算法，需要快速准确的坐标。

晶圆表面的高速污染物筛选 “Sweeping-TXRF function”

Sweeping-TXRF 方法可用于使用直接 TXRF 方法高速测量晶圆表面的内部，并阐明污染元素的分布状态。 整个晶圆表面的污染分析是在短时间内完成的，而代表性坐标测量（如平面中的 5 或 9 个点）无法捕获。 300mm 晶圆整个表面的 5×1010 原子/厘米2 污染物检测可在短短 50 分钟内完成。 除了污染物元素的分布外，还可以通过整合整个表面的测量值来计算晶圆表面的平均污染物浓度。

边缘排除 0mm 无损和非接触式污染测量 “ZEE-TXRF 功能”

我们已经在晶圆边缘附近实现了高灵敏度测量，这是迄今为止TXRF方法无法测量的。 现在可以使用 TXRF 在污染集中的边缘进行污染分析。

晶圆背面的全自动测量 “BAC-TXRF 功能”

EFEM 中安装了晶圆翻转机器人，实现无人化和全自动的 300mm 晶圆背面污染测量。 当与 ZEE-TXRF 功能结合使用时，可以对晶圆的每个部分进行全面的污染分析和评估。

兼容 300mm Fab

配备 Fab 的标准 FOUP/SMIF 接口，兼容 300mm/200mm 晶圆。 此外，它还支持各种 AMHS，并通过支持主机和 SECS/GEM 协议来支持 CIM/FA。