研讨会：利用冷冻FIB和低剂量电子显微成像揭示敏感晶体和器件中的微结构

为了在原子尺度上建立材料的性质与其结构之间的相关性，研究者迫切需要用扫描/透射电子显微镜（S/TEM）对材料的结构进行原子尺度的直接成像。虽然高分辨率 TEM 和 STEM是大多数材料结构的常规表征手段，但由于电子束敏感材料（如金属有机骨架(MOFs)、分子筛、超分子晶体、杂化卤素钙钛矿等）极度的不稳定性，以常规方式观察它们的结构仍然是一个极大的挑战。随着超低剂量电子显微成像技术（ultralow-dose (S)TEM）的开发，电子束敏感材料的高分辨率成像这一难题在很大程度上得到了解决。过去几年间，包括上述材料在内的各种电子束敏感材料的纳米颗粒高分辨(S)TEM成像都获得了成功。但是，对于需要“试样制备”的体相电子束敏感材料的(S)TEM成像仍然具有极大的挑战。这是因为，电子束敏感材料的TEM试样制备非常具有挑战，这些电子束敏感材料往往对于其它各种作用力也很敏感，其结构很容易被常规的试样制备方法所破坏。鉴于超低剂量电子显微成像技术日趋成熟，如何开发出有效的、可适用于体相敏感材料的试样制备技术变得十分迫切。

本次网络研讨会特别邀请重庆大学张大梁教授为大家介绍使用冷冻聚焦离子束(Cryo-FIB)加工电子束敏感结晶材料和器件的技术方法和难点，分享其使用利用冷冻FIB和低剂量电子显微成像技术揭示电子束敏感晶体和器件中的微结构的成功案例。